GP1M008A080FH
Global Power Technologies Group
Deutsch
Artikelnummer: | GP1M008A080FH |
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Hersteller / Marke: | SemiQ |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 800V 8A TO220F |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-220F |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (max) | 40.3W (Tc) |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 Full Pack |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1921pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 46nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800V |
detaillierte Beschreibung | N-Channel 800V 8A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 8A (Tc) |
GP1M008A080FH Einzelheiten PDF [English] | GP1M008A080FH PDF - EN.pdf |
MOSFET N-CH 600V 9A TO220F
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2024/07/2
2024/01/31
2024/11/5
2024/05/13
GP1M008A080FHGlobal Power Technologies Group |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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